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TZ3205A	文件：208.5 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD1.6x1.224.576MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UCS3205	文件：2.51431 Mbytes Page：30 Pages	5A,22VBidirectionalLoadSwitchwithFastRoleSwap Description TheUCS3205is5A,22VloadswitchwithFastRole Swap(FRS)capability,bidirectionalcurrentcapability, configurableovercurrentlimiting,auto-recoveryFault handling,overvoltagelockout,back-voltageprotection, slewratecontrol,quickoutputdischargeandascaled analog	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UF3205	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
UPC3205	文件：135.98 Kbytes Page：20 Pages	IQDEMODULATORFORDIGITALVIDEO/DATARECEIVER DESCRIPTION TheμPC3205GRisSiliconmonolithicICdesignedforuseasIQdemodulatorindigitalcommunicationsystems.ThisICconsistsofAGCamplifier,dualbalancedmixers(DBM),oscillator,quadraturephaseshifterandI&Qoutputbufferamplifiers. Thepackageis20-pinSSOP(shrinks	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC3205GR	文件：135.98 Kbytes Page：20 Pages	IQDEMODULATORFORDIGITALVIDEO/DATARECEIVER DESCRIPTION TheμPC3205GRisSiliconmonolithicICdesignedforuseasIQdemodulatorindigitalcommunicationsystems.ThisICconsistsofAGCamplifier,dualbalancedmixers(DBM),oscillator,quadraturephaseshifterandI&Qoutputbufferamplifiers. Thepackageis20-pinSSOP(shrinks	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UTT3205	文件：179.67 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
VBA3205	文件：713.43 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20VMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter ?FixedTelecom ?NotebookPC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VN3205	文件：858.22 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
VN3205	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205	文件：853.27 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205	文件：459.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205ND	文件：459.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205ND	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205NJ	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN3205NW	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VPC3205C	文件：1.24515 Mbytes Page：78 Pages	CombFilterVideoProcessor Introduction TheVPC323xDisahigh-quality,single-chipvideofront-end,whichistargetedfor4:3and16:9,50/60-Hzand100/120HzTVsets.ItcanbecombinedwithothermembersoftheDIGIT3000ICfamily(suchasDDP331x)and/oritcanbeusedwith3rd-partyproducts. Themainfeatur	MICRONAS Micronas	MICRONAS
WFP3205	文件：224.82 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFP3205	文件：890.18 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisPo	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFP3205T	文件：1.10006 Mbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisPowe	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi

晶體管資料

型號：
TRS3205S
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
封裝形式：
極限工作電壓：
385V
最大電流允許值：
0.4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
3DK304A,
最大耗散功率：
2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
385
htest：
999900
atest：
0.4
wtest：
2

詳細(xì)參數(shù)

型號：
TRS3205S
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 320V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-37VAR

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更多TRS3205S供應(yīng)商更新時間2025-1-10 23:00:00

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