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TRS8E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TRS8E65H
廠商型號

TRS8E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標識

S8E65H

封裝外殼

TO-220-2L

文件大小

467.38 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-17 16:44:00

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TRS8E65H規(guī)格書詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 22 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 1.5 μA (typ.)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TE/泰科
23+
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
詢價
TE/泰科
2508+
/
295898
一級代理,原裝現(xiàn)貨
詢價
Toshiba
23+
TO-247
3268
東芝全系列原廠正品現(xiàn)貨
詢價
Toshiba
2025+
TO-220-2L
12420
詢價
FERRAZ/羅蘭熔斷器
23+
標準封裝
5000
原廠授權一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
詢價
TE Connectivity
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
詢價