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TRS8V65H

Marking：TRS8V65H；Package：DFN8x8；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=22nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=1.5μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba
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更多TRS8V65H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 10:50:00

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