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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V40100C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.38VatIF=5A

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FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V40100G

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.42VatIF=5A

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.372VatIF=5A

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FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.38VatIF=5A

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.42VatIF=5A

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