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TS8510VB-SD-F中文資料威世科技數據手冊PDF規(guī)格書

TS8510VB-SD-F
廠商型號

TS8510VB-SD-F

功能描述

Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

文件大小

89.42 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-9 17:10:00

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TS8510VB-SD-F規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TS8510VB is a high power infrared, 855 nm surface emitting

diode in GaAlAs technology with high radiant power and

high speed. Polarity configuration is “n-up”.

FEATURES

? Package type: chip

? Package form: single chip

? Technology: surface emitter

? Dimensions chip (L x W x H in mm):

0.260 x 0.260 x 0.17

? Peak wavelength: ? = 855 nm

? Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

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