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TS8510VB-SD-F中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

TS8510VB-SD-F
廠(chǎng)商型號(hào)

TS8510VB-SD-F

功能描述

Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

文件大小

89.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:30:00

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TS8510VB-SD-F規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

TS8510VB is a high power infrared, 855 nm surface emitting

diode in GaAlAs technology with high radiant power and

high speed. Polarity configuration is “n-up”.

FEATURES

? Package type: chip

? Package form: single chip

? Technology: surface emitter

? Dimensions chip (L x W x H in mm):

0.260 x 0.260 x 0.17

? Peak wavelength: ? = 855 nm

? Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨
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2025+
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全新原廠(chǎng)原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
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