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HW427

1/2WATTMETAL

NTE

NTE Electronics

ISC427N

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEo=400V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·HighReliability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingregulators ·Ultrasonicgenerators ·Highfrequencyinverters ·

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

J427

2xNGigabitPoEPlus

pulse

Pulse A Technitrol Company

LT427

PhotoDMOS-FETRelay

Description TheLT427isa1-FormAsolidstaterelayinan4pinDIPpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputsid

LETEXLETEX technology corp

臺(tái)灣麗太麗太科技股份有限公司

MAX427

LowNoise,High-PrecisionOpAmps

LowNoise,High-PrecisionOpAmps Applications Low-NoiseSignalProcessing ThresholdDetection Strain-GaugeAmplifiers MicrophonePreamplifiers

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX427C/D

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美信美信半導(dǎo)體

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MAX427EPA

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美信美信半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TSC427CBA+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.4V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.5A，1.5A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    25ns，25ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多TSC427CBA+供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-15 16:59:00

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