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TSCDF08065G1

8A, 650V SiC Merged PIN Schottky Diode

FEATURES ●Maxjunctiontemperature175°C ●MPSstructureforhighruggednesstoforwardcurrent surgeevents ●High-speedswitchingpossible ●Highforwardsurgecapability ●High-frequencyoperation ●PositivetemperaturecoefficientonVF ●RoHScompliant ●Halogen-free APPLICATION

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

MSP08065G1

650VSiliconCarbideDiode

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

TSCDT08065G1

8A,650VSiCMergedPINSchottkyDiode

FEATURES ●Maxjunctiontemperature175°C ●MPSstructureforhighruggednesstoforwardcurrent surgeevents ●High-speedswitchingpossible ●Highforwardsurgecapability ●High-frequencyoperation ●PositivetemperaturecoefficientonVF ●RoHScompliant ●Halogen-free APPLICATIONS

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

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更多TSCDF08065G1供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 10:18:00

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