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TSHF5210_V02中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TSHF5210_V02
廠商型號

TSHF5210_V02

功能描述

High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

文件大小

108.46 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-3 19:10:00

TSHF5210_V02規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TSHF5210 is an infrared, 890 nm emitting diode in GaAlAs

double hetero (DH) technology with high radiant power and

high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES

? Package type: leaded

? Package form: T-1?

? Dimensions (in mm): ? 5

? Leads with stand-off

? Peak wavelength: λp = 890 nm

? High reliability

? High radiant power

? High radiant intensity

? Angle of half intensity: ? = ± 10°

? Low forward voltage

? Suitable for high pulse current operation

? High modulation bandwidth: fc = 12 MHz

? Good spectral matching with Si photodetectors

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Note

** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

www.vishay.com/doc?99902

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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