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TSM1N60中文資料臺灣半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TSM1N60
廠商型號

TSM1N60
功能描述

N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
文件大小

174.02 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企業(yè)簡稱

TSC【臺灣半導體】

中文名稱

臺灣半導體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-29 20:00:00
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TSM1N60規(guī)格書詳情

VDS= 600V

ID= 1A

RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 0.6A = 8?

General Description

The TSM1N60 is used an advanced termination scheme toprovide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain- to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional and safety margin against unexpected voltage transients.

Features

Robust high voltage termination

Avalanche energy specified

Diode is characterized for use in bridge circuits

Source to Drain diode recovery time comparable to a discrete fast recovery diode.

IDSSand VDS(on)specified at elevated temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    TSM1N60

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 1.0A 2.5W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TSC/臺灣半導體
22+
TO-92
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
TAIWAN SEMONDUCTOR
24+
NA/
13282
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
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TSC
18+
TO-92
950
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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SEMTECH
2025+
TO-251
4835
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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24+
TO-92
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
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24+
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12000
原裝
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22+
TO252-
3000
原裝正品,支持實單
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23+
TO-252
12500
原廠原裝正品
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TSC
24+
TO251
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原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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