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TSM4N60CPRO中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TSM4N60CPRO
廠商型號(hào)

TSM4N60CPRO

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.24039 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

TSM4N60CPRO規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TSM4N60CPRO

  • 制造商:

    TSC

  • 制造商全稱:

    Taiwan Semiconductor Company, Ltd

  • 功能描述:

    600V N-Channel Power MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TSC/臺(tái)半
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NA/
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