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TSZ181	文件：2.3326 Mbytes Page：43 Pages	Very high accuracy (25 關(guān)V) high bandwidth (3 MHz) zero drift 5 V operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSZ181H	文件：2.027 Mbytes Page：26 Pages	Automotive-grade, very high accuracy (25 關(guān)V), high bandwidth (3 MHz), high temperature (150 ?C), zero-drift operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSZ181HYLT	文件：2.027 Mbytes Page：26 Pages	Automotive-grade, very high accuracy (25 關(guān)V), high bandwidth (3 MHz), high temperature (150 ?C), zero-drift operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSZ181ILT	文件：2.3326 Mbytes Page：43 Pages	Very high accuracy (25 關(guān)V) high bandwidth (3 MHz) zero drift 5 V operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSZ181IQ1T	文件：2.3326 Mbytes Page：43 Pages	Very high accuracy (25 關(guān)V) high bandwidth (3 MHz) zero drift 5 V operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSZ181IYLT	文件：2.3326 Mbytes Page：43 Pages	Very high accuracy (25 關(guān)V) high bandwidth (3 MHz) zero drift 5 V operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
UNA-181N	文件：278.8 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNA-181N	文件：2.74136 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightnes	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNB-181N	文件：2.68285 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNB-181N	文件：280.52 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNB-181N-SMD	文件：297.8 Kbytes Page：4 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：325.51 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：338.76 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors(SPG)	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：2.72288 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UPG181GR	文件：220.34 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?TwoIndependentIFChannels ?IntegralSwitchingtoChannelInputtoEitherChannelOutput ?InsertionLossPerChannel:5.0dBTYP.(ZO=50W) ?FrequencyRange:950MHzto2150MHz ?ChanneltoChannelIsolation:33dBTYP. ?Small16-pinHTSSOPPackage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG181GR	文件：148.89 Kbytes Page：4 Pages	GaAsMMICDBSTWINIFSWITCH DESCRIPTION NECsUPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired.Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG181GR	文件：56.55 Kbytes Page：12 Pages	GaAsMMICDBSTwinIFSwitch DESCRIPTION TheμPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired. Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
VDD181LCNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDD181LCTA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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瀚佳科技(深圳)有限公司	TSZ181ILT	STMicroelectronics	21+	SOT-23-5	53200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	TSZ181ILT	ST(意法半導(dǎo)體)	2117+	SOT-23-5	315000	3000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
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更多TSZ181供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:02:00

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