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TT015N120EQ-GE-BR

N-CHANNEL IGBT

APPLICATIONS ?Generalpurposeinverter FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JT015N120ABCD-AB-O-N-B

Generalpurposeinverters

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JT015N120ANAD

IGBT

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JT015N120WAD

IGBT

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JT015N120WCD

Generalpurposeinverters

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JT015N120WCD-W-O-N-B

Generalpurposeinverters

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

TT015N120EQ

N-CHANNELIGBT

APPLICATIONS ?Generalpurposeinverter FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

TT015N120EQ-GE-B

N-CHANNELIGBT

APPLICATIONS ?Generalpurposeinverter FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

TW015N120C

MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

UDF015N120

0.15A,1200VN-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET

?DESCRIPTION TheUTCUDF015N120isanN-channelpowerMOSFETusing UTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhigh switchingspeed. ?FEATURES *RDS(ON)≤500Ω@VGS=0V,ID=75mA *HighSwitchingSpeed

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多TT015N120EQ-GE-BR供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 10:56:00