TTC1949分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
TTC1949 |
參數(shù)屬性 | TTC1949 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.5A SMINI |
功能描述 | Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type |
絲印標(biāo)識 | CBA |
封裝外殼 | S-Mini / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
195.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 18:04:00 |
TTC1949規(guī)格書詳情
Applications
? Low-Frequency Power Amplifiers
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TTC1949-Y,LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
400mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
S-Mini
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
SOT-23 |
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4 |
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