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TUI--9

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. ?TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

TUI--9

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

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更多TUI--9供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 11:10:00