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TVS4201MR6T1G-TP

Marking：42；Package：SOT23-6；Low Capacitance TVS Diode Array

Features ?Lowoperatingvoltage:5V/ ?Ultralowcapacitance:1.5pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel ?Lowclampingvoltage ?“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:￡30kV Contactdischarge:+30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

NSP4201MR6T1G

TransientVoltageSuppressors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSP4201MR6T1G-TP

LowCapacitanceTVSDiodeArray

Features ?Lowoperatingvoltage:5V/ ?Ultralowcapacitance:1.5pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel ?Lowclampingvoltage ?“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:￡30kV Contactdischarge:+30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

NUP4201MR6T1

LowCapacitanceTSOP-6Diode-TVSArrayforHighSpeedDataLinesProtection

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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TransientVoltageSuppressors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NUP4201MR6T1G

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NUP4201MR6T1G

IntegratedSolutionsforUSBLineProtectionandTermination

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NUP4201MR6T1G

LowCapacitanceTSOP-6Diode-TVSArrayforHighSpeedDataLinesProtection

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NUP4201MR6T1G

LOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±20kV Contactdischarge:±20kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs) RoHSCompliant A

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

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TransientVoltageSuppressors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多TVS4201MR6T1G-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 10:18:00

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