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TW027N65CS1F規(guī)格書詳情
Features
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 650 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 27 m
? (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I
D = 3 mA)
(6) Enhancement mode.
Applications
? Switching Voltage Regulators
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QIACHIP(七艾) |
23+ |
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TST |
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SMD |
56000 |
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QIACHIP(七艾) |
23+ |
6000 |
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TST |
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TST |
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APEMComponents |
新 |
11 |
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TST |
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詢價(jià) |
