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TW070J120B

Silicon Carbide N-Channel MOS

1.Applications ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)Chipdesignof2ndgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=70mΩ(typ.) (5)Lesssusce

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更多TW070J120B供應商 更新時間2024-11-7 9:55:00

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