TW083N65CS1F中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	TW083N65CS1F
功能描述	MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS
文件大小	850.46 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-11 16:06:00

Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 650 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 83 m

? (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I

D = 0.6 mA)

(6) Enhancement mode.

Applications

? Switching Voltage Regulators

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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