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TZ0865A	文件：189.68 Kbytes Page：5 Pages	SMD 5.0x3.2 36.0MHz Crystal Unit Features: ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultraminiaturepackageformobility.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
CD0865A	文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages	CeramicBallGridTerminationArrays	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司	TTELEC
CD0865A	文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages	Excellenthighfrequencyperformance	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司	TTELEC
CD0865B	文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages	Excellenthighfrequencyperformance	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司	TTELEC
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FFSB0865A	文件：316.01 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSB0865A	文件：293.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,8A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSB0865B	文件：335.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,8A,650V,D2,D2PAK-2L SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSB0865B	文件：382.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSD0865A	文件：437.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSD0865B	文件：457.49 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSM0865B	文件：224.28 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSP0865A	文件：272.97 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·HighSurgeCurrentCapacity ·EasyOfParalleling ·NoReverseRecovery APPLICATIONS ·SMPS ·UPS ·PowerSwitchingCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FFSP0865A	文件：234.13 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,8A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
P0865	文件：136.17 Kbytes Page：4 Pages	TREKP0865 APPLICATIONS ?ChargeaccumulationmonitoringoftheLCDproductionprocesses ?Monitoringsurfacepotentialsintheelectrostaticpaintingprocess ?Researchanddevelopmentintheelectrophotographicprocess ?Measuringelectrostaticpotentialsonpolymers,rubber,fabrics,andpaper	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先進能源工業(yè)先進能源工業(yè)公司	ADVANCEDENERGY
P0865ETF	文件：216.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VD	文件：204.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VTF	文件：204.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PCDD0865GB	文件：440.57 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard App	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0865GB	文件：331 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT

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