零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI) | TI1 | ||
DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
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DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI) | TI1 | ||
DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI) | TI1 | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI) | TI1 | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=18.0m?(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0m?(TYP.)(VGS=4.5V,ID=3.5A) ?LowCiss:Ciss=730pF(T | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement switch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement switch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=18.0m?(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0m?(TYP.)(VGS=4.5V,ID=3.5A) ?LowCiss:Ciss=730pF(T | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI |
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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TST |
23+ |
- |
9000 |
華南總代 |
詢價 | ||
TAISAW |
23+ |
SMD |
15000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
TST |
24+ |
15800 |
真實庫存/絕無虛假/支持送貨 |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
48000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 |
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