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ULN2012	文件：186.29 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEHIGHCURRENTDARLINGTONARRAY	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
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UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION The?PG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs1/4WSINGLECONTROLL-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheμPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs?WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheμPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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