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DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 | ||
DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 | ||
DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=9.3m?(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8m?(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=1850pF | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(Power | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(Power | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=9.3m?(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8m?(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=1850pF | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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