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UCC27512DRST集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
UCC27512DRST |
參數(shù)屬性 | UCC27512DRST 封裝/外殼為6-WDFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON |
功能描述 | Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver (with 4-A Peak Source and 8-A Peak Sink) |
封裝外殼 | 6-WDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
1.61567 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
33 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI1【德州儀器】 |
中文名稱 | 德州儀器官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-18 12:12:00 |
UCC27512DRST規(guī)格書詳情
UCC27512DRST屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由德州儀器制造生產(chǎn)的UCC27512DRST柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
UCC27512DRST
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅動器
- 包裝:
管件
- 驅動配置:
低端
- 通道類型:
單路
- 柵極類型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 18V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
1V,2.4V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
4A,8A
- 輸入類型:
反相,非反相
- 上升/下降時間(典型值):
8ns,7ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 140°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
6-WDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:
6-SON(3x3)
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
18+ |
WSON |
8257 |
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TI/德州儀器 |
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SON6 |
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SON6 |
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