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UPA1716

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1716

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=12.5m?TYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0m?TYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RD

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond

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更多UDZVGJTE-1716B供應商 更新時間2025-3-15 17:00:00

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