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UF3C065080B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

UF3C065080B3
廠商型號(hào)

UF3C065080B3

參數(shù)屬性

UF3C065080B3 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO263

功能描述

650V-80mW SiC FET
MOSFET N-CH 650V 25A TO263

絲印標(biāo)識(shí)

UF3C065080B3

封裝外殼

D2PAK-3L / TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

494.7 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 UnitedSiC.
企業(yè)簡稱

UNITEDSIC

中文名稱

UnitedSiC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-12 17:07:00

UF3C065080B3規(guī)格書詳情

UF3C065080B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由UnitedSiC.制造生產(chǎn)的UF3C065080B3晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    UF3C065080B3

  • 制造商:

    UnitedSiC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    25A(Tc)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263(D2Pak)

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 25A TO263

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
UNITEDSIC
TO-247-3
399000
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:MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
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