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UFT20120D

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE MODULE 200V 100A

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

V20120C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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威世科技威世科技半導體

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V20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

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VB20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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VB20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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產品屬性

  • 產品編號:

    UFT20120D

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管配置:

    1 對串聯(lián)

  • 二極管類型:

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    100A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    螺釘安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    DIODE MODULE 200V 100A

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UFT20120D供應商 更新時間2024-12-23 15:53:00