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UGF1006GD

10.0 Amperes Insulated Package Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

UGF1006GS

10.0AmperesInsulatedPackageDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

UM1006

3WattDC-DCConverters

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

US1006DS

SurfaceMountUltrafastRecoveryRectifier

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

US1006FL

SMALLSURFACEMOUNTULTRAFASTDIODES

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

US1006FL

1AmpUltraFastRecovery

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

US1006FL

SMALLSURFACEMOUNTFASTDIODES

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

US1006FL

1.0AUltraFastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

US1006FL

1.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTRECOVERYDIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

US1006FL

ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER

Features ·Lowprofilespace ·Idealforautomatedplacement ·Glasspassivatedchipjunction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowleakagecurrent ·Highforwardsurgecapability ·Hightemperaturesoldering: 260℃/10secondsatterminals ·Componentinaccordanceto RoHS2002/95/1andWEE

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

US1006FL

1.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE

LowProfile1.08mmMax.CaseHeight GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop,HighEfficiency SurgeOverloadRatingto30APeak Ultra-FastRecoveryTime IdeallySuitedforAutomaticAssembly PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

UTOUTC1006

Thin-FilmCascadableAmplifier5to1000MHz

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

V-1006

COMPONENTCLIPS&MICROPHONECLIP

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

VQ1006

VQ1006SERIES

AMMSEMI

American Microsemiconductor

VQ1006P

N-Channel80-and90-V(D-S)MOSFETs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VQ1006P

N-Channel80-and90-V(D-S)MOSFETs

features LowOn-Resistance:3.6 LowThreshold:1.6V LowInputCapacitance:35pF FastSwitchingSpeed:6ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorVoltage appli

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VTF1006BX

Conformal,SingleIn-LineResistorNetworks(Standard)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

WM1006

1.57mm(.062)Diameter,Standard.062PinandSocketCrimpTerminal

MOLEX1Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

WM1006-ND

1.57mm(.062)Diameter,Standard.062PinandSocketCrimpTerminal

MOLEX1Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

WRGBU1006

10.0AUITRASOFTRECOVERYBRIDGE

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

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Taiwan Semiconductor Corporati
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更多UGF1006GD供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 10:53:00