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UMZ1NT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

UMZ1NT1G
廠商型號(hào)

UMZ1NT1G

功能描述

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

文件大小

68.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-18 22:30:00

UMZ1NT1G規(guī)格書(shū)詳情

Features

? High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA

? High hFE: hFE = 200400

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating ? Human Body Model: 3A

? Machine Model: C

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    UMZ1NT1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
2020+
SOT363
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
SOT-363
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢(xún)價(jià)
onsemi(安森美)
23+
SC88
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán)
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
24+23+
SOT363
12580
16年現(xiàn)貨庫(kù)存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
詢(xún)價(jià)
ON
11+
5325
原裝正品長(zhǎng)期供貨,如假包賠包換 徐小姐13714450367
詢(xún)價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON(安森美)
22+
NA
8000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON(安森美)
23+
SC-88
14452
公司只做原裝正品,假一賠十
詢(xún)價(jià)
ONS
23+
UMZ1NT1G
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢(xún)價(jià)