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UN010DN26TE中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

UN010DN26TE
廠商型號(hào)

UN010DN26TE

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

B123

封裝外殼

SOT-26

文件大小

5.46728 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-21 20:00:00

UN010DN26TE規(guī)格書(shū)詳情

Features

Advanced Trench Process Technology

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

Halogen-Free & Lead-Free

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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