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UN0608N6R6-T52中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

UN0608N6R6-T52
廠商型號(hào)

UN0608N6R6-T52

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

UN0608N

封裝外殼

TO-252

文件大小

8.41576 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 20:00:00

UN0608N6R6-T52規(guī)格書(shū)詳情

Features

Use Trench MOSFET Technology

High Density Cell Design For Low RDS(ON)

Material: Halogen Free

Reliable and Rugged

Avalanche Rated

Low Leakage Current

Applications

PWM Applications

Load Switch

Power Management in Portable/Desktop PCs

DC/DC Conversion

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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