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UN0817N2R9-T63中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UN0817N2R9-T63
廠商型號(hào)

UN0817N2R9-T63

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

UN0817N

封裝外殼

TO-263

文件大小

5.86242 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 9:50:00

UN0817N2R9-T63規(guī)格書詳情

Feature

Uses advanced SGT technology

Extremely low on-resistance RDS(ON)

Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM)

Applications

Motor control and drives

Battery management

DC/DC converter

General purpose applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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