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UN200N23TE中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN200N23TE
廠商型號

UN200N23TE

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

S0K

封裝外殼

SOT-23

文件大小

6.05133 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-1 23:00:00

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UN200N23TE規(guī)格書詳情

Feature

Advanced Trench Process Technology

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

Halogen-Free & Lead-Free

ESD Protected up to 2KV (HBM)

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage controlled small signal switch

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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