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UNR2211分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

UNR2211
廠商型號

UNR2211
參數(shù)屬性

UNR2211 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
功能描述

Composite Transistors, Silicon NPN epitaxial planar type For switching/digital circuits
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

93.13 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Panasonic Semiconductor
企業(yè)簡稱

Panasonic【松下】

中文名稱

松下電器官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-2 23:00:00

UNR2211規(guī)格書詳情

Silicon NPN epitaxial planar type

???????

For switching/digital circuits

■ Features

? Two elements incorporated into one package (Transistors with built-in resistor)

? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UNR221100L

  • 制造商：

    Panasonic Electronic Components

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    迷你型3-G1

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PANASON/松下
23+
NA/
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Mini3-G3-B
200000
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