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UPA1818GR-9JG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA1818GR-9JG
廠商型號

UPA1818GR-9JG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

304.36 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-25 11:29:00

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UPA1818GR-9JG規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA1818 is a switching device which can be

driven directly by a 2.5 V power source.

This device features a low on-state resistance and

excellent switching characteristics, and is suitable for

applications such as power management of notebook

computers and so on.

FEATURES

? 2.5 V drive available

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 15.2 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?5.0 A)

RDS(on)2 = 16 mΩ MAX. (VGS = ?4.0 V, ID = ?5.0 A)

RDS(on)3 = 25 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?5.0 A)

? Built-in G-S protection diode against ESD

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA1818GR-9JG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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