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UPA2211T1M-T2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2211T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=25mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?7.5A) RDS(on)2=34mΩMAX.(VGS=?2.5V,ID=?3.8A)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2211T1M-T2-AT供應(yīng)商 更新時間2025-3-23 14:00:00

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