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UPA2211T1M中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
UPA2211T1M規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The μ PA2211T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for power management applications of portable equipments, such as
load switch.
FEATURES
? Low on-state resistance
RDS(on)1 = 25 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?7.5 A)
RDS(on)2 = 34 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?3.8 A)
RDS(on)3 = 66 mΩ MAX. (VGS = ?1.8 V, ID = ?3.8 A)
? Built-in gate protection diode
? ?1.8 V Gate drive available
產(chǎn)品屬性
- 型號：
UPA2211T1M
- 功能描述：
MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
10+ |
VSOF-8 |
1272 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
115240 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
NEC |
2020+ |
VSOF-8 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
8-VSOF |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
VSOF-8 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
VSOF-8 |
12000 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
VSOF-8 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
VSOF-8 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
NEC |
21+ |
VSOF-8 |
3000 |
詢價 | |||
NEC |
23+ |
VSOF-8 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價 |
