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UPA2727UT1A

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2727UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) ?LowQGD QGD=3.5nCTYP.(VDD=15V,ID=16A) ?Thintypesurface

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2727UT1A

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested APPLICATIONS ?NotebookPCCore ?VRM/POL

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

UPA2727UT1A

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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