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UPA2733GR-E1

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2733GRisP-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandsoon. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=38mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?2.5A) RDS(on)2=53mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?2.5A) ?LowCiss:

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2733GR-E1-A

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2733GRisP-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandsoon. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=38mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?2.5A) RDS(on)2=53mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?2.5A) ?LowCiss:

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更多UPA2733GR-E1-AT供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 15:29:00

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