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UPA2747UT1A

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2747UT1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=4.5mΩ?MAX.(VGS=10V,ID=40A) ?RDS(on)2=6.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=20A) ?LowQG ?Thintypesurfacemountpackage

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2747UT1A-SSA-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 11:00:00

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