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UPA2791GR-E1-AT

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2791GRisN-andP-channelMOSFieldEffect Transistorsdesignedforswitchingapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=36.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) RDS(on)2=50.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.0A) P-channelRDS(on)1=82mΩMAX.(VG

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2791GR-E1-AT

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheμPA2791GRisN-andP-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforswitchingapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=36.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) RDS(on)2=50.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.0A) P-channel

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多UPA2791GR-E1-AT/JM供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 9:33:00