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UPA2800T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2800isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8.5A) ?Built-ingateprotectiondi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2800T1L-E1-AY供應商 更新時間2024-11-14 16:56:00

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