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UPA2801T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2801isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=16A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) ?Built-ingateprotectiondiod

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2801T1L-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2024-11-14 22:30:00

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