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UPA2805UT1L-E2-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2805UT1L-E2-AY
廠商型號

UPA2805UT1L-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

379.72 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-13 18:33:00

UPA2805UT1L-E2-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2805UT1L is N-channel MOS FET designed for DC/DC converter and

power management applications of portable equipments.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 13 A)

? Low QG

? Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON (3333))

? RoHS Compliant

? Halogen Free

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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