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UPA2825T1S

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ?VDSS=30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) ?4.5VGate-driveavailable ?Small&thintypesurfacemountpackagewithheatspreader(HWSON-8) ?Pb-free,HalogenFree

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2825T1S-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ?VDSS=30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) ?4.5VGate-driveavailable ?Small&thintypesurfacemountpackagewithheatspreader(HWSON-8) ?Pb-free,HalogenFree

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2825T1S供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 13:00:00