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UPA806T-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
UPA806T-T1 |
參數(shù)屬性 | UPA806T-T1 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO |
功能描述 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
封裝外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
209.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-24 19:00:00 |
人工找貨 | UPA806T-T1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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FEATURES
? Low Noise, High Gain
? Operable at Low Voltage
? Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP.
? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
UPA806T-T1
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 晶體管類型:
2 NPN(雙)
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
12GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 10mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝:
6-SO
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SC70-6 |
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CEL |
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NEC |
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SOT363 |
49000 |
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SC70-6 |
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RENESAS |
23+ |
SOT-363 |
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SOT-363 |
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