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UPA806T-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

UPA806T-T1
廠商型號

UPA806T-T1

參數(shù)屬性

UPA806T-T1 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

209.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 19:00:00

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UPA806T-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Noise, High Gain

? Operable at Low Voltage

? Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP.

? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UPA806T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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