UPA809T-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	UPA809T-T1
功能描述	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
文件大小	66.21 Kbytes
頁面數(shù)量	10 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱	NEC【瑞薩】
中文名稱	日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-17 20:00:00
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FEATURES

? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

? Low Noise

NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

? Large Absolute Maximum Collector Current

IC = 100 mA

? A Mini Mold Package Adopted

? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5193)

型號：
UPA809T-T1
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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