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UPA861TD-T3-A

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA861TD-T3

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES ?Lowvoltageoperation ?2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,?S21e?2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA861TD-T3

NECsNPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsUPA861TDcontainsoneNE894andoneNE687NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE894isanexcellentoscillatorchip,featuringhighfTandlowcurrent,lowvoltageoperation.TheNE687isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewultras

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號:

    UPA861TD-T3-A

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CEL
23+
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19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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NEC
24+
SOT-563
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NEC
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SOT-563
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RENESAS/瑞薩
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更多UPA861TD-T3-A供應商 更新時間2024-12-25 10:13:00