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UPA862TD中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA862TD
廠商型號

UPA862TD

功能描述

NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

文件大小

135.07 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 23:00:00

UPA862TD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs UPA862TD contains one NE851 and one NE685 NPN high frequency silicon bipolar chip. The NE851 is an excellent oscillator chip, featuring low 1/f noise and high immunity to pushing effects. The NE685 is an excellent buffer transistor, featuring low noise and high gain. NECs new ultra small TD package is ideal for all portable wireless applications where reducing board space is a prime consideration. Each transistor chip is independently mounted and easily configured for oscillator/buffer amplifier and other applications.

FEATURES

? LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION

? SMALL PACKAGE OUTLINE:

1.2 mm x 0.8 mm

? LOW HEIGHT PROFILE:

Just 0.50 mm high

? TWO DIFFERENT DIE TYPES:

Q1 - Ideal buffer amplifier transistor

Q2 - Ideal oscillator transistor

? IDEAL FOR 1-2 GHz OSCILLATORS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA862TD

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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