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UPA901TU中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UPA901TU
廠商型號(hào)

UPA901TU

功能描述

NPN SiGe RF ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

304.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 23:00:00

UPA901TU規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF IC

IN A 8-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

DESCRIPTION

The μPA901TU is a silicon germanium HBT IC designed for the power amplifier of 5.8 GHz cordless phone and

other 5.8 GHz applications. This IC consists of two stage amplifiers and has excellent performance, high efficiency,

high gain, low power consumption.

The device is packaged in surface mount 8-pin lead-less minimold plastic package.

The device is fabricated with our SiGe HBT process UHS2-HV technology.

FEATURES

? Output Power : Pout = 19 dBm @ Pin = ?3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz

? Low Power : IC = 90 mA @ Pin = ?3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz

? Single Power Supply Operation : VCE = 3.6 V

? Built-in bias circuit

? 8-pin lead-less minimold (2.0 × 2.2 × 0.5 mm)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    UPA901TU

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN SiGe Pwr Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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