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UPC2711T

2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711T

3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER

DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711T-E3

2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711T-E3

3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER

DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB

3.3 V, SILICON GERMANIUM MMIC WIDE BAND AMPLIFIER

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPC2711TB_1

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB-E3

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB-E3

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB-E3

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2711TB-E3-A

5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB-E3

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP CELLULAR 2.7-3GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB-E3-A

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：MMIC AMP 2.9GHZ SOT-363

CEL

California Eastern Labs

UPC2711TB-EVAL

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD FOR UPC2711TB

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    UPC2711T

  • 功能描述：

    射頻放大器 5V Widebnd Amplifier

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
17+
SOT-163
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
NEC
24+
SOT-163SOT-23-6
24100
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價
NEC
16+
SOT-163
10000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢!
 詢價
NS
2020+
原廠封裝
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
NEC
21+
SOT23-6
6000
絕對原裝現(xiàn)貨
 詢價
NEC
2023+
SOT-163
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
NEC
23+
SOT23-6
9800
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
NEC
2022
SOT-163 / SOT-23-6
24100
全新原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價
NEC
23+
SOT23-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEC
23+
SOT23-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多UPC2711T供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 9:28:00

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